X-FAB扩展180nmXH018工艺采用全新隔离等级增强SPAD集成
盖世汽车讯 据外媒报道，模拟/混合信号及专用芯片代工厂X-FAB Silicon Foundries SE在其180nm XH018半导体工艺中推出一种新的隔离等级。该新隔离等级旨在支持更紧凑、更高效的单光子雪崩二极管实现，可实现更紧密的功能集成、更高的像素密度和更高的填充因子，从而缩小芯片面积。
SPAD是众多新兴应用的关键组件，包括自动驾驶汽车的激光雷达、3D成像、AR/VR系统中的深度感知、量子通信和生物医学传感。X-FAB已提供多款基于其180nm XH018平台构建的SPAD器件，有效面积范围为10?m至20?m。其中包括一款针对近红外优化的二极管，可提高光子探测概率(PDP)性能。
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